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微型真空探針臺(tái)在晶圓測試中的使用

更新時(shí)間:2022-04-21點(diǎn)擊次數(shù):1418
  微型真空探針臺(tái)可進(jìn)行真空環(huán)境下的高低溫測試(4.2K~500K),可升級加載磁場,低溫防輻射屏設(shè)計(jì),樣品臺(tái)采用高純度無氧銅制作,溫度均勻性更好,溫度傳感器采用有著良好穩(wěn)定性和重復(fù)性的PT100或者標(biāo)定過的硅二極管作為測溫裝置,支持光纖光譜特性測試,兼容高倍率金相顯微鏡,可微調(diào)移動(dòng),器件的高頻特性(支持高67GHz頻率),探針熱沉設(shè)計(jì),LD/LED/PD的光強(qiáng)/波長測試,自動(dòng)流量控制,材料/器件的IV/CV特性測試等。
  微型真空探針臺(tái)在晶圓測試中的使用:
  晶圓測試(Chip Probing,簡稱CP),是指用探針對生產(chǎn)加工完成后的晶圓產(chǎn)品上的芯片或半導(dǎo)體元器件功能進(jìn)行測試,驗(yàn)證是否符合產(chǎn)品規(guī)格。
  測試過程需要探針和測試機(jī)配合使用,探針臺(tái)將晶圓逐步自動(dòng)傳送至測試位置,芯片的引腳通過探針、專用連接線與測試機(jī)的功能模塊進(jìn)行連接,測試機(jī)對芯片施加輸入信號并采集輸出信號,判斷芯片功能和性能是否達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)范要求。測試結(jié)果通過通信接口傳送給探針臺(tái),探針臺(tái)據(jù)此對芯片進(jìn)行打點(diǎn)標(biāo)記,形成晶圓結(jié)果映射圖(Mapping),盡可能將無效的芯片標(biāo)記出來以節(jié)約封裝費(fèi)用。
  微型真空探針臺(tái)在成品測試中的使用:
  成品測試(Final Test,簡稱FT),又稱終測,是指對封裝完成后的芯片進(jìn)行功能和電參數(shù)測試,保證出廠的每顆芯片的功能和性能指標(biāo)能夠達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)范要求。芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證的測試環(huán)節(jié)與成品測試環(huán)節(jié)較為相似。
  測試過程需要分選機(jī)和測試機(jī)的配合使用,分選機(jī)將被測芯片逐個(gè)自動(dòng)傳送至測試工位,被測芯片的引腳通過安裝在測試座上的探針與測試機(jī)的功能模塊進(jìn)行連接,測試機(jī)對芯片施加輸入信號并采集輸出信號,判斷芯片功能和性能是否達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)范要求。測試結(jié)果通過通信接口傳送給分選機(jī),分選機(jī)據(jù)此對測試芯片進(jìn)行標(biāo)記、分選、收料或編帶。
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